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產(chǎn)品分類 更新時(shí)間:2025-09-25
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瀏覽次數(shù):124抽真空氣氛爐的工作原理是通過真空系統(tǒng)、氣氛控制系統(tǒng)與加熱系統(tǒng)的協(xié)同作用,在密閉爐膛內(nèi)創(chuàng)造無氧或特定氣體環(huán)境,實(shí)現(xiàn)材料的高精度熱處理。其核心流程可分為以下四個(gè)階段:
一、真空系統(tǒng):排除雜質(zhì)氣體,創(chuàng)造無氧環(huán)境
抽氣過程
機(jī)械泵預(yù)抽:啟動后,機(jī)械泵(如旋片泵)快速降低爐內(nèi)壓力至10?1~103 Pa,排除大部分空氣和水分。
分子泵精抽:若需更高真空度(如10?? Pa以下),切換至分子泵,通過高速旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)子將殘留氣體分子排出,達(dá)到高真空狀態(tài)。
真空度選擇:根據(jù)材料特性調(diào)整目標(biāo)壓力。例如,硬質(zhì)合金燒結(jié)需高真空(<10?3 Pa)防止碳化物脫碳,而金屬退火可能僅需低真空(10?1 Pa)以降低成本。
密封與泄漏檢測
爐門、觀察窗等部位采用金屬密封圈或橡膠O型圈,確保氣密性。
通過氦質(zhì)譜檢漏儀檢測微小泄漏,避免外界氣體滲入污染爐內(nèi)環(huán)境。
二、氣氛控制系統(tǒng):注入特定氣體,實(shí)現(xiàn)工藝需求
氣體選擇與注入
惰性氣體:如氮?dú)猓∟?)、氬氣(Ar),用于保護(hù)材料免受氧化(如鈦合金退火)。
還原性氣體:如氫氣(H?),用于還原金屬氧化物(如半導(dǎo)體芯片制造中的硅氧化層去除)。
碳勢控制氣體:如甲烷(CH?),用于滲碳處理(如齒輪表面硬化)。
氣體注入方式:通過質(zhì)量流量計(jì)(MFC)jingque控制流量,配合電磁閥實(shí)現(xiàn)快速切換。
氣氛循環(huán)與凈化
循環(huán)風(fēng)機(jī):驅(qū)動氣體在爐膛內(nèi)循環(huán),確保溫度與氣氛均勻性。
氣體凈化裝置:如冷阱、分子篩過濾器,去除氣體中的水分、油污等雜質(zhì),防止污染材料。
三、加熱系統(tǒng):實(shí)現(xiàn)高溫控制與均勻傳熱
加熱元件選擇
電阻絲:適用于低溫(<1000℃)場景,成本低但壽命較短。
硅鉬棒(MoSi?):耐高溫(1600~1800℃),抗氧化性強(qiáng),常用于陶瓷燒結(jié)。
石墨加熱器:高溫度可達(dá)2500℃,但需在惰性氣氛中使用以防止氧化。
加熱方式與溫度控制
輻射加熱:加熱元件發(fā)射紅外線,通過爐膛內(nèi)壁反射傳遞熱量,適合真空環(huán)境。
分區(qū)控溫:將爐膛分為多個(gè)加熱區(qū),每區(qū)獨(dú)立控制溫度,補(bǔ)償端部熱損失(如管式爐的進(jìn)出口區(qū)域)。
PID控制算法:根據(jù)溫度傳感器反饋實(shí)時(shí)調(diào)整功率,實(shí)現(xiàn)升溫速率、保溫時(shí)間和降溫曲線的jingque控制(如±1℃精度)。
 
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